하이닉스반도체(대표 김종갑)는 66나노 기술을 적용한 세계 최고속 1기가비트 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) 제품을 개발했다고 6일 밝혔다.
이 제품은 지난해 세계 최고속·최소형 1기가비트 모바일 DDR 제품 개발 이후 8개월 만에 개발에 성공한 것으로 JEDEC(국제반도체표준협의 기구) 규격을 만족하며, 칩셋 업체와 공동으로 모바일 LPDDR2의 국제 표준화를 선도할 것으로 기대된다.
특히 세계 최초로 1.2V의 전압에서 업계 최고속인 800Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 급속히 진화하고 있는 모바일 기기에 최적화된 제품이다. 또한 66나노 초미세 공정이 적용돼 9mm x 12mm 크기로 경쟁력 있는 패키지가 가능하며, 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 ‘원 칩 솔루션’ 기능을 갖추고 있어 이를 탑재하는 기기의 사양에 맞춰 변경해 사용할 수 있다.
이번 제품은 1기가비트 이상 고용량 모바일 메모리 시장을 선도할 수 있는 획기적인 신제품으로, 올해 4분기부터 양산할 예정이다.
하이닉스반도체는 올해 수익성 1위 탈환을 위해 모바일 D램을 비롯한 고부가가치 제품의 비중을 대폭 늘릴 계획이며, 특히 모바일 D램의 경우 신제품 적기 개발 및 판매 강화로 현재 7% 정도인 시장 점유율을 3배 가까이 확대한다는 목표를 세웠다.
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