[뉴스토마토 손정협기자]
삼성전자(005930)가 기존의 DDR3 D램에 비해 성능을 대폭 향상시키고 동작전압을 낮춘 차세대 DDR4 D램을 세계 최초로 개발했다.
삼성전자는 30나노 공정을 적용한 데스크톱용 2GB DDR4 UDIMM(Unbuffered Dual In-line Memory Module) 제품을 개발을 마쳤으며 하반기까지 기술 표준화를 완료할 예정이라고 4일 밝혔다.
이번 제품은 1.2V 전압에서 작동하며 데이터 전송속도는 2.1Gbps에 달한다.
30나노급 1.5V DDR3 D램에 비해 성능은 두 배로 높이면서도 소비전력은 약 40% 낮출 수 있다.
삼성전자는 DDR4 D램을 2012년 이후 본격적인 양산에 들어갈 예정이다.
전동수 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "삼성전자는 해마다 업그레이드된 '그린메모리' 전략으로 IT 업계에서 친환경 제품을 출시하는데 적극적으로 협력해 왔다"며 "DDR4 D램 기술로 고객들에게 '그린메모리' 제품에 대한 신뢰를 더욱 높일 수 있게 됐다"고 말했다.
뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com
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