[뉴스토마토 권안나 기자] 삼성전자가 파운드리 공장의 추가 투자에 나서면서 지난해 내걸었던 '반도체 비전 2030'에 속도를 낸다. 특히 앞선 기술 경쟁력을 통한 '초격차' 전략으로 전 세계 1위 업체인 TSMC를 뛰어넘겠다는 전략이다.
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지난해 4월 이재용 삼성전자 부회장이 '반도체 비전 2030'을 발표했다. 사진/뉴시스
21일 삼성전자는 2021년 하반기 양산을 목표로 경기 평택캠퍼스에 파운드리 라인의 착공에 들어갔다고 밝혔다.
이번에 짓는 파운드리 라인은 극자외선(EUV) 기술을 적용한 공정으로 7나노미터 이하의 미세공정에서 삼성전자가 경쟁사들을 뛰어넘는 저력을 보여준 분야다. EUV는 기존 공정에서 사용된 불화아르곤(ArF) 대비 파장이 짧아 반도체 미세 공정에 유리하다.
삼성전자는 지난해 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 제품을 생산했다. 작년 하반기에는 6나노 제품 양산을 시작했으며, 5나노 제품도 올 하반기 중 화성에서 먼저 양산할 계획이다. 3나노 제품은 2022년을 양산 시점으로 잡고 있다. 현재 7나노 이하의 제품을 양산할 수 있는 업체는 TSMC와 삼성전자 뿐이다.
점유율 측면에서는 TSMC가 독보적이지만 2018년 상반기 까지만 해도 7.4%의 점유율로 전 세계 4위에 그쳤던 삼성전자가 단 기간에 2위까지 따라잡은 것은 괄목할 만 하다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 TSMC의 올해 1분기 파운드리 시장점유율은 54.1%로 1위를 차지했고, 삼성전자는 15.9%의 점유율로 2위에 올랐다.
이는 이재용 삼성전자 부회장이 지난해 4월 2030년까지 133조원을 투자해 시스템 반도체 1위를 달성하겠다는 '반도체 비전 2030'을 발표한 후 '초격차' 전략에 집중한 결과로 풀이된다. 올해 들어 퀄컴사의 5세대(5G) 모뎀칩 생산 계약을 따내는 등 구체적인 성과도 내고 있다.
삼성전자는 경기도 화성과 기흥, 미국 오스틴에 이어 평택캠퍼스에 4번째 파운드리 공장을 통해 5나노 이하 미세공정에서의 경쟁력을 더욱 높이는 한편, 시장 수요 증가에 적극 대응해 나간다는 전략이다. 삼성전자가 미국의 반도체 자국 생산량 늘리기 정책에 발맞춰 오스틴 공장에도 추가 투자를 단행할지 귀추가 주목되고 있다.
한편 삼성전자의 경쟁사들도 공격적인 투자를 단행하며 차세대 파운드리 시장의 점유율을 향한 치열한 격전을 벌이고 있다. TSMC는 최근 미국 애리조나주에 5나노 공정을 중심으로 한 파운드리 생산라인을 짓기로 결정했다고 밝혔다. 이를 위해 올해 150~160억달러 수준 투자를 단행한다. 2021년에 착공하고, 2024년 양산 예정이다. 파운드리 4위 업체인 중국의 SMIC도 정부의 적극적인 자국 반도체 육성 정책에 힘입어 대규모 투자를 예고한 바 있다.
반도체 업계 관계자는 "현재 기술 경쟁에서는 TSMC와 삼성전자의 양강구도로 좁혀지는 분위기"라며 "다만 기존 네트워크와 메모리 반도체, 세트 사업 같은 다른 업종을 겸하지 않는 TSMC가 고객사 유치에 유리한 측면이 있다"고 말했다. 이어 "삼성전자는 공격적인 투자와 함께 고객사 유치를 위해 여러 정책을 펼치는 중"이라고 덧붙였다.
권안나 기자 kany872@etomato.com