삼성전자·SK하이닉스, 내년에도 주력은 25나노 D램

삼성전자 "20나노 D램, 주력 공정되기 아직 힘들어"

[뉴스토마토 황민규기자] 삼성전자(005930)와 SK하이닉스가 내년에도 25나노 D램 공정에 주력한다는 방침이다. 아직 20나노 공정이 안정화 단계에 접어들지 않은 상황에서, 마이크론 테크놀로즈 등 후발 주자들과 기술력 격차가 유지되고 있어 굳이 무리할 필요가 없기 때문이다.

 

최주선 삼성전자 메모리사업무 D램 개발실장(전무)은 13일 서울 양재동 엘타워에서 열린 2014 대한민국 기술대상 시상식을 마친 뒤 기자와 만난 자리에서 "내년에 20나노급 D램 양산량을 늘릴 계획이지만 전체 생산량은 25나노급을 넘어서지 않을 것"이라고 말했다.

 

올해 삼성전자가 20나노 D램 양산에 성공한 이후 서버, PC, 모바일 등 전 부문에 적용되기 시작하면서 생산성이 크게 향상될 것이라는 전망이 많았지만 비중은 아직 높지 않다. D램익스체인지에 따르면 삼성전자 20나노 D램 비중은 올 4분기 기준으로 2%대에 불과하다.

 

SK하이닉스(000660)는 내년부터 25나노 D램 생산량이 올해 주력 공정이었던 29나노를 넘어설 것으로 관측된다. D램익스체인지에 따르면 SK하이닉스의 25나노 공정은 내년 1분기 전체 D램의 79%에 달할 것으로 예상된다. 반면 29나노 공정은 하반기 이후 한자릿수 비중으로 내려갈 것이라는 분석이다.

 

반도체 업계에서는 내년 D램 시장에서 상위 3개 사의 기술력이 상향평준화될 것으로 예상하고 있다. 국내 대형 제조업체 한 관계자는 "삼성전자의 20나노 D램 생산량이 아직 기대에 미치지 못하고 있는 반면 하이닉스와 마이크론은 25나노 비중을 늘리는 동시에 내년 상반기부터 20나노에 진입하면 기술력 격차가 크게 줄어든다"고 말했다.

 

전문가들 사이에서는 사실상 10나노급 D램 진입이 어렵다는 주장도 제기되고 있다. 20나노 초중반대에 진입하면서 기술 구현이 난해해지고 있기 때문이다. 하지만 삼성전자는 설비로 10나노급까지 미세화 공정이 가능하다는 입장이다. 삼성전자 관계자는 "EUV를 안 쓰고도 D램과 낸드 모두 15나노 이하 제품을 양산할 수 있는 기술을 확보하고 있다"고 말했다.

 

◇삼성전자 화성 반도체 공장.(사진=삼성전자)