[뉴스토마토 손정협기자]
하이닉스(000660)는 관통전극(TSV) 기술을 활용, 세계 최초로 웨이퍼 레벨 패키지를 2단으로 적층하는 기술을 개발했다고 7일 밝혔다.
웨이퍼 레벨 패키지는 웨이퍼 가공 후 하나씩 칩을 잘라내 패키징하던 기존 방식과 달리, 웨이퍼 상태에서 한번에 패키지 공정 및 테스트를 진행한 후 칩을 절단해 간단히 완제품을 만들어 내는 기술이다.
이 방식은 패키지 비용을 절감하는 장점이 있지만, 회로가 있는 칩의 윗부분이 뒤집혀 모듈 기판과 맞닿게 되면서 칩을 적층하지 못하는 구조적 단점이 있다.
하이닉스는 웨이퍼에 직접 구멍을 뚫어 전극을 형성하는 TSV 기술을 적용해 칩을 2단으로 쌓는데 성공했다.
데이터 전송 경로를 줄이고, 더 많은 정보입출구(I/O)를 만들 수 있어 고성능 패키지를 구현할 수 있다고 하이닉스는 설명했다.
패키지 크기와 두께를 줄였으며 비용이 낮아져 제조원가도 절감될 전망이다.
변광유 패키지 개발 그룹장(상무)는 “이번 개발은 웨이퍼 레벨 패키지와 관통전극 기술의 장점만을 취한 패키지 형태”라면서, “향후 4단, 8단 이상의 적층까지 개발할 것”이라고 말했다.
뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com
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