[뉴스토마토 권안나 기자] 삼성전자가 비메모리 시장에서 활로 개척에 분주한 모습이다. 메모리 호황을 통해 벌어들인 자금을 파운드리 사업에 적극적으로 투입하며 비메모리에서도 '초격차' 를 통한 경쟁 우위를 확보해 나가겠다는 전략이다.
EUV 공정이 적용된 삼성전자 화성 반도체 생산라인 조감도. 사진/삼성전자
18일 미국 IT전문매체 탐스하드웨어 등에 따르면 삼성전자는 2021년 GAAFET(Gate-All-Around Field Effect Transistor)을 활용한 3나노(nm) 공정을 양산할 계획이다. GAAFET은 3차원 방식의 핀펫(FinFET) 기술보다 한 단계 진일보된 4차원 기술로, EUV와 함께 차세대 공정으로 평가된다. 위·아래·좌·우 트랜지스터 게이트를 통해 한꺼번에 더 많은 전자를 처리할 수 있어 효율성이 매우 높다.
삼성전자는 2002년부터 GAA를 기반으로 한 독자 브랜드 'MBCFET(Multi Bridge Channel FET)'를 개발해왔다. MBCFET은 미국 IBM, 글로벌파운드리(GF)와 공동 개발한 나노시트 기반이다. 핀펫은 게이트가 수직으로 세워져 있는 반면, 나노시트는 게이트를 가로로 눕혀 적층하는 형태로 트랜지스터 성능을 향상시킨다. 삼성전자에 따르면 MBCFET은 3나노 공정에서 처음으로 적용될 예정이다.
글로벌 시장조사기관에 따르면 올해 메모리 반도체(D램, 낸드플래시) 시장은 가격 하락에 따른 수요둔화로 인해 지난해보다 역성장이 예고됐다. 세계반도체시장통계기구(WSTS)는 메모리반도체 매출이 2017년 전년 대비 61.5%, 지난해 전년 대비 33.2% 증가를 끝으로 올해에는 0.3% 감소할 것으로 전망했다. 중국 제조사들의 메모리 반도체에 대한 공격적인 투자와 미국과 중국의 무역갈등 심화 역시 부담으로 작용할 것이라는 분석이 나온다.
이에 삼성전자는 반도체 사업 전체의 중장기적인 수익성을 확보하기 위해 파운드리 등 비메모리 반도체 사업 역량을 강화에 총력을 기울이고 있다. 삼성전자는 현재 파운드리 선두 업체인 TSMC가 뒤쳐지고 있는 것으로 평가되는 극자외선(EUV) 공정 기술력을 확보하고 적극적인 행보를 보이고 있다. EUV는 파장 길이가 13.5나노에 불과한 매우 짧은 전자기파로, 기존 공정기술에 활용된 불화아르곤(ArF) 광원의 14분의 1 수준이다. 10나노 미만 반도체 회로를 한번의 노광으로 만들 수 있다는 점에서 미세 회로 패턴을 구현하기에 적합하다.
삼성전자는 지난해 2월 경기 화성시에 최초로 7나노에 EUV 장비를 적용한 7LPP 생산라인 기공식을 열었다. 올 하반기에는 시험생산에 들어가 내년 상반기 제품 양산을 목표로 하고 있다. 지난해 퀄컴과 7나도 파운드리 공정 기반 5G 칩 생산을 협력하기로 한 데 이어, IBM과도 7나노 파운드리 공정 기반의 서버용 고성능 반도체 칩을 생산할 예정이다.
삼성전자 관계자는 "삼성전자와 TSMC는 7나노 수주가 이뤄졌지만 나머지 경쟁사들은 아직까지 명확한 로드맵을 내놓지 못하고 있어 양사의 경쟁구도로 이어질 가능성이 높아 보인다"며 "향후에도 MBCFET 등 독자적인 미세공정 개발을 통해 차별화된 경쟁력을 지속적으로 마련해 나갈 계획"이라고 말했다.
권안나 기자 kany872@etomato.com
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