[뉴스토마토 손정협기자]
삼성전자(005930)가 기존 범용 낸드플래시보다 데이터 처리속도를 최고 10배 향상시킨 차세대 고속 낸드플래시 기술을 개발했다.
삼성전자는 400Mbps의 처리속도를 지원하는 'Toggle DDR 2.0' 방식의 낸드플래시 기술을 개발해 내년부터 제품화할 계획이라고 22일 밝혔다.
Toggle DDR 2.0 방식의 낸드플래시는 기존 SDR(Single Data Rate) 방식의 범용 낸드플래시의 데이터 처리속도 40Mbps에 비해서는 10배, 133Mbps인 'Toggle DDR 1.0' 방식 고속 낸드플래시에 비해서는 3배 빠르다.
삼성전자는 지난해 Toggle DDR 1.0방식의 30나노급 32기가비트(Gb) 고속 낸드플래시를 세계 최초로 양산하기 시작했고, 향후20나노급 이하 낸드플래시 전 제품에 Toggle DDR 2.0 기술을 적용할 방침이다.
아울러 Toggle DDR 2.0이 시장 표준으로 자리잡을 수 있도록 세계반도체표준협의기구(JEDEC)에 표준 등록을 추진, 내년 초까지 등록을 완료할 계획이다.
낸드플래시 2위 업체인 일본 도시바도 Toggle DDR 2.0의 표준화 작업에 참여키로 결정했다.
전동수 삼성전자 반도체사업부 부사장은 "삼성전자는 지난해 11월 30나노급 고속 낸드플래시를 최초로 양산하는 등 고성능 낸드플래시 시장 성장을 주도해왔다"며 "앞으로 고속 낸드플래시는 4세대 스마트폰, 태블릿 PC, SSD 등 여러 제품에 탑재되면서 시장 성장을 이끌 것"이라고 말했다.
뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com
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