하이닉스, 적층기술로 16Gb 대용량 D램 구현

2011-03-09 09:54:20 ㅣ 2011-06-15 18:56:52

[뉴스토마토 손정협기자] 하이닉스(000660)반도체가 9일 관통전극(TSV) 기술을 적용해 40나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 8단으로 쌓는데 성공했다고 밝혔다.

지금까지 엘피다가 1Gb DDR3 D램을 8단 적층한 적은 있으나 2Gb D램을 쌓아 16Gb를 구현한 것은 하이닉스가 처음이다.

16Gb D램은 현재의 와이어 본딩(Wire bonding) 기술로는 패키지 크기 증가와 전기적 특성 저하로 인해 단일 패키지로 제작이 불가능하며, 20나노 초반급 공정기술을 적용한 4Gb D램이 개발돼야 구현 가능하다.

반면 이번 제품은 칩을 수직으로 쌓아 관통전극을 형성하는 TSV 기술을 활용함으로써 이러한 한계를 극복했다.

이 제품을 모듈로 제작하면 최대 64기가바이트(GB)의 고용량을 구현할 수 있어 서버와 워크스테이션 등 대용량 메모리 수요에 적합하다.

홍성주 하이닉스반도체 연구소장(전무)는 “TSV 기술을 이용한 고용량 메모리 제조 기술은 향후 2~3년 내에 메모리 산업의 핵심기술이 될 것”이라며 “이번 제품 개발은 고용량과 융복합화로 변화하는 메모리 솔루션의 기반을 구축했다는 점에 그 의의가 있다”고 설명했다.

하이닉스는 2013년 이후 본격 상용화가 예상되는 64GB 모듈에 이 제품을 적용할 방침이다.

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