삼성전자, 세계 최초 3비트 3D 낸드플래시 공개

[뉴스토마토 황민규기자] 삼성전자(005930)가 세계 최초로 트리플레벨셀(TLC, 3비트) 방식의 3차원 수직구조 낸드플래시를 선보였다. 이 제품은 기존의 24단 3D 낸드 제품보다 생상 효율이 2배 가량 높은 것으로 알려졌다.

 

6일 업계에 따르면, 삼성전자는 지난 5일(현지시간) 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시메모리 서밋 2014'(Flash Memory Summit) 행사에서 '32단 3비트 V낸드'를 세계 최초로 공개했다.

 

올 들어 업계 최초로 솔리드스테이트드라이브에 TLC 기반 낸드를 적용해 성능과 생산단가, 두 마리 토끼를 한 번에 잡은 삼성전자는 V낸드에도 해당 기술을 접목시키며 한발 앞서나가게 됐다는 평가다.

 

TLC로 불리는 3비트 낸드플래시는 데이터 저장 최소 단위인 셀 하나에 3비트의 데이터를 저장해, 1비트나 2비트를 저장하는 싱글레벨셀(SLC), 멀티레벨셀(MLC) 제품보다 저장효율이 2∼3배 뛰어나다.

 

일반적으로 TLC 기술은 SLC, MLC 대비 생산단가가 낮은 대신 안정성에서 비교적 취약하다는 인식이 있었지만 삼성전자는 자체 개발한 컨트롤러 기술 등으로 이를 극복해 MLC보다 안정적인 성능 구현에 성공했다.

 

특히 이번에 개발한 3비트 V낸드의 경우 셀 적층 수도 32단으로 높여 기존의 10나노급 3비트 낸드보다 집적도가 30% 이상 높다. 칩 하나의 저장할 수 있는 정보의 양이 많을 뿐만 아니라 처리 속도가 2배 이상 향상됐고 전력 소모량은 40% 수준 절감됐다.

 

삼성전자는 "현재 업계에서 유일하게 3D V낸드를 양산하고 있으며 이번 3비트 V낸드 기술로 3D 낸드플래시 시장에서 당분간 독주체제가 예상된다"며 "향후 3비트 낸드 기반의 고성능 SSD를 출시해 SSD 시장 리더십을 더욱 강화해 나갈 것"이라고 말했다.

 

◇삼성전자 V낸드의 적층 구조 변화.

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