[뉴스토마토 손정협기자]
삼성전자(005930)가 업계 최초로 30나노급 공정을 적용한 8Gb '원낸드' 메모리를 출시하고 이달부터 양산에 들어간다고 6일 밝혔다.
이번 8Gb 원낸드는 싱글레벨셀(SLC) 낸드플래시를 기반으로 한 대용량·고성능의 내장 메모리 솔루션이다.
낸드플래시와 컨트롤러를 통합해 범용 낸드플래시보다 읽기 속도를 4배 이상 빠른 초당 70MB로 대폭 높인 것이 특징이다.
기존의 4Gb 원낸드와 비교하면 저장 용량이 2배로 증가했다.
30나노급 공정을 적용함으로써 기존 40나노급 '원낸드' 제품에 비해 생산성도 40% 정도 높아졌다.
스마트폰 제조업체들이 이 제품을 채택할 경우 하나의 칩에 1GB 용량의 OS와 애플리케이션을 설치할 수 있다.
OS 용량(약 400MB)을 제외하면 500~600MB 정도의 메모리를 애플리케이션용으로 활용할 수 있는 셈이다.
삼성전자는 "최근 고해상도 그래픽 지원이 필요한 애플리케이션이 늘어남에 따라 스마트폰에 대용량 내장 메모리 채용도 확대되고 있다"며 "8Gb '원낸드' 제품을 계획보다 1년 이상 앞당겨 출시했다"고 설명했다.
하반기부터는 8Gb 원낸드 칩 2개와 D램을 적층한 멀티레벨셀(MCP) 제품도 출시해, 2GB 이상 대용량 원낸드 시장을 확대시켜 나갈 계획이다.
삼성전자는 30나노급 8Gb SLC 낸드플래시도 시장에 공급, 지난 해 11월 양산한 고속 낸드플래시, 3bit 낸드플래시와 함께 30나노급 낸드플래시 라인업을 갖추고 휴대폰, 디지털TV 등 고성능·대용량 시장을 주도해 나갈 방침이다.
뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com
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