[뉴스토마토 손정협기자] 하이닉스가 메모리 반도체 시장 호조에 힘입어 올해 투자금액을 당초 목표보다 30% 이상 늘립니다.
하이닉스는 올해 투자규모를 기존의 2조3000억원에서 7500억원 늘어난 3조500억원으로 결정했다고 밝혔습니다.
이번 투자규모는 2007년의 4조8400억원과 2006년 4조2500억원에 이어 역대 세번째로 많은 금액입니다.
하이닉스는 투자확대 배경에 대해 메모리 반도체 시장의 수요확대에 적극적으로 대응하기 위해서라고 설명했습니다.
시장조사기관인 IC인사이츠에 따르면 지난 1분기 글로벌 반도체 시장에서 하이닉스의 매출순위는 7위로, 2009년보다 두 계단 뛰어올랐습니다.
하이닉스는 서버, 그래픽, 모바일 등 고부가가치 제품 생산을 확대하고 차세대 제품개발을 위한 연구개발 투자도 확대할 방침입니다.
현재 15% 수준인 40나노급 D램의 생산비중을 연말까지 50%까지 늘릴 계획입니다.
40나노급 D램은 50나노급 제품에 비해 생산성을 50% 향상시킬 수 있어 원가경쟁력 강화에 유리합니다.
하이닉스의 이번 결정은 삼성전자가 대규모 투자확대를 실시한 데 따른 대응으로 풀이됩니다.
삼성전자는 올해 메모리 반도체에만 9조원을 투자해 최첨단 30나노급 D램 생산비중을 연말까지 10%대로 확대할 방침입니다.
반도체 시장이 내년까지 호조를 이어갈 것으로 전망되고 있어 공급과잉 우려는 없다는 것이 두 회사의 판단입니다.
한편 하이닉스는 중국에 위치한 낸드 플래시 합작 계열사인 하이닉스-뉴모닉스 반도체 보유지분 전량을 5219억원에 취득하기로 했습니다.
뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com
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