[뉴스토마토 한형주기자]
테스(095610)는 저온 화학기상증착에 의한 산화막 증착 방법 관련 특허를 취득했다고 10일 공시했다.
테스 관계자는 "이 특허로 기존의 퍼니스를 이용한 열산화 공정으로 형성하는 산화막의 막질과 유사한 산화막을 저온에서 화학기상증착기(CVD) 공정으로 형성할 수 있다"고 밝혔다.
이에 따라 기존에 산화막을 형성할 때 발생한 열화를 방지할 수 있어, 반도체 소자의 특성 저하 또한 막을 수 있게 됐다는 설명이다.
테스측은 "특허 출원으로 신규 장비 개발과 기술·원가경쟁력 강화가 가능해질 것"으로 기대했다.
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