[뉴스토마토 안정훈 기자] 삼성전자가 NVIDIA GTC 2026에서 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E를 처음 공개했습니다. 메모리부터 파운드리와 로직 설계 역량까지 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)의 기술력을 집약한 결과로 평가됩니다. 이를 통해 글로벌 인공지능(AI) 반도체 시장에서의 리더십을 강화하는 한편, 엔비디아와의 ‘AI 동맹’도 더욱 공고해질 것으로 전망됩니다.
삼성전자는 16일(현지시각) 미국 샌프란시스코에서 열린 엔비디아의 연례 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에 참석해 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E를 공개했다. 사진은 삼성전자의 HBM4E. (사진=삼성전자)
삼성전자는 16일(현지시각) 미국 샌프란시스코 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에서 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했습니다. HBM4 양산 과정에서 축적한 6세대(1c) D램 공정 기술과 삼성 파운드리의 4나노 베이스 다이 설계 역량을 결합해 HBM4E 개발 속도를 높였다는 설명입니다.
세부 성능도 공개됐습니다. 삼성전자에 따르면 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트)의 속도와 4.0TB/s의 대역폭을 지원할 예정입니다. 기존 HBM4가 핀당 11.7Gbps 속도와 단일 스택당 최대 3.3TB/s 대역폭을 제공한 것과 비교하면 성능이 크게 개선된 수준입니다.
패키징 기술 경쟁력도 강조했습니다. 삼성전자는 열과 압력을 통해 칩을 접합하는 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 낮춘 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개했습니다. 구리 접합 기반으로 칩을 직접 연결하는 방식으로, 16단 이상 고적층을 지원해 차세대 HBM 제조에 필요한 패키징 기술력을 확보한 것으로 분석됩니다.
삼성전자는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼인 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4와 파운드리 4나노 기반 베이스 다이 웨이퍼도 함께 전시했습니다. 메모리와 파운드리 역량을 모두 보유한 IDM 구조를 통해 고성능 HBM 시대에 기술 경쟁력을 강화하겠다는 전략으로 풀이됩니다.
삼성전자는 16일(현지시각) 미국 샌프란시스코에서 열린 엔비디아의 연례 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에 참석해 세계 최초로 소캠(SOCAMM)2를 양산 출하했다고 밝혔다. 사진은 삼성전자의 소캠2. (사진=삼성전자)
베라 루빈을 위한 ‘메모리 토탈 솔루션’도 공개했습니다. 삼성전자는 전시 부스에 ‘엔비디아 갤러리’를 별도로 구성하고 △루빈 GPU(그래픽처리장치)용 HBM4 △베라 CPU(중앙처리장치)용 소캠(SOCAMM)2 △서버용 SSD ‘PM1763’ 등을 통합 전시했습니다.
이들 제품은 엔비디아의 베라 루빈에 탑재될 전망입니다. 소캠2는 이미 업계 최초로 양산 출하를 시작했으며, 서버용 SSD인 PM1763은 해당 플랫폼의 메인 스토리지로 채택됐습니다. 삼성전자는 부스에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연하며 성능을 공개했습니다.
또 AI 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 기술에도 대응합니다. CMX는 AI 추론 과정에서 생성되는 KV 캐시 데이터를 GPU 대신 SSD에 저장해 GPU 메모리를 확장하는 기술로, 삼성전자는 여기에 PM1753을 공급할 계획입니다.
장기적으로 삼성전자는 IDM이라는 강점을 활용해 엔비디아와의 협업을 늘린다는 방침입니다. 삼성전자 측은 “AI 팩토리 혁신을 위해서는 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI 시스템이 필수적이며, 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정”이라며 “양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것”이라고 했습니다.
안정훈 기자 ajh76063111@etomato.com
이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.
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