DB하이텍, 차세대 8인치 전력반도체 신뢰성 검증…내년 양산

세계 첫 8인치 SiC 파운드리 일괄공정11월 3세대 PDK 출시…개발 1년 단축

[뉴스토마토 이명신 기자] DB하이텍(000990)이 8인치 웨이퍼 기반의 1200V 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 공정 신뢰성 검증을 마쳤습니다. 이번 검증을 바탕으로 고객 제품 개발과 신규 고객 확보에 나서는 한편, 2027년 양산체제 구축에 속도를 낼 방침입니다.

 

DB하이텍 부천사업장 전경. (사진=DB하이텍)

 

9일 DB하이텍은 8인치 1200V SiC 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 공정의 신뢰성 검증을 완료했다고 밝혔습니다. SiC는 기존 실리콘 대비 고온·고전압 환경에서 안정적으로 작동해 전기차와 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 사용되는 차세대 전력반도체 소재입니다.

 

현재 SiC 반도체는 6인치 웨이퍼가 주로 쓰이지만, 생산효율과 원가경쟁력 향상을 위해 글로벌 주요 업체들이 8인치 공정으로 전환하는 추세입니다.

 

DB하이텍은 고전력 MOSFET에 최적화한 SiC 공정을 개발하고 신뢰성을 확보해 왔습니다. 특히 설계부터 제조, 특성 평가, 신뢰성 검증까지 지원하는 8인치 파운드리 일괄공정을 구축했습니다. 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄공정을 구축한 것은 세계 최초라는 게 DB하이텍의 설명입니다.

 

사업 본격화를 위해 고객사에 공정설계키트(PDK)도 제공합니다. PDK는 반도체 설계에 필요한 공정 정보와 설계 규칙 등을 담은 자료입니다. DB하이텍은 자체 개발한 1·2세대 1200V SiC MOSFET PDK를 고객사에 제공 중이며, 오는 11월 3세대 PDK를 추가로 출시할 계획입니다. 이에 고객사는 초기 개발 부담을 줄여 제품 개발기간을 1년 이상 줄일 수 있을 것으로 기대됩니다.

 

PDK로 제공되는 2세대 공정은 게이트 전압 18V 조건에서 비저항(Rsp) 2.5mΩ·㎠ 이하와 문턱전압 3V 이상의 전기적 특성을 구현했습니다. 3세대 공정은 같은 게이트 전압 조건에서 비저항을 2.3mΩ·㎠ 이하로 낮추고, 단락안전 동작 영역(SCSOA)에서 SCWT(단락 발생 시 전력반도체가 손상 없이 견딜 수 있는 시간) 2.5㎲ 이상의 특성을 확보하는 것을 목표로 하고 있습니다. SCSOA는 단락 발생 시 전력반도체가 손상 없이 견딜 수 있는 동작 범위를 뜻합니다.

 

DB하이텍은 올해 3분기 중 기존 파운드리 고객사를 대상으로 공정을 우선 제공하기 위한 준비를 마친 뒤 2027년 2분기부터 모든 고객사로 서비스를 확대할 방침입니다. DB하이텍 관계자는 “이번 검증 완료는 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다”며 “2027년 양산을 차질 없이 준비해 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 확대하겠다”고 했습니다.

 

이명신 기자 [e-mail]

이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.