삼성電, 세계 최초 50나노급 4기가 DDR3 D램 개발

2Gb D램 대비 40% 이상 전력 소비 줄여

[뉴스토마토 안준영기자] 삼성전자는 29일 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.

이번에 개발한 4Gb DDR3 D램은 서버용 16기가바이트(GB) RDIMM, 워크스테이션과 데스크탑 PC용 8GB UDIMM, 노트북용 8GB SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 적용되며, 패키지 적층 기술(DDP: Double Die Package)을 적용하면 32GB 모듈 개발도 가능하다.

4Gb DDR3 D램은 50나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps(초당 1600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현함으로써, 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약 20% 정도 성능이 향상됐다.

또한, 4Gb DDR3를 활용하면 공정과 제조 원가 측면 뿐만 아니라 전력 소비 측면에서 더 큰 강점을 발휘할 수 있어, 최근 서버 업계를 중심으로 높아지고 있는 친환경 사양 요구에 맞춰 더욱 효과적인 저전력 메모리 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자 관계자는 "16GB D램 모듈을 제작할 때 1Gb D램은 단품 144개를 탑재하지만, 2Gb D램은 72개로 전력 소비를 40% 이상 절감할 수 있다"며 "4Gb D램의 경우는 32개로 제작할 수 있어 2Gb D램 대비 40% 이상, 1Gb D램 대비 총 70%까지 전력 소비를 줄일 수 있다"고 말했다.

 

삼성전자는 앞서 2007년 세계 최초로 60나노 공정 2Gb DDR2 D램 개발로 본격적인 고용량 D램 시대를 열었다. 이어 지난해 9월 50나노 공정 2Gb DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 5개월만에 두 배 용량인 4Gb DDR3 D램 제품을 내놓았다.

이로써 삼성전자는 업계에서 가장 많은 50나노 D램 제품군을 확보하게 됐다.

 

뉴스토마토 안준영 기자 [e-mail]

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