[바르셀로나=뉴스토마토 서지명기자]
하이닉스(000660)반도체가 스페인 바르셀로나에서 열리는 '모바일 월드 콩그레스(MWC) 2012'에 처음으로 참가해 '스마트 모바일 솔루션' 시장 확대를 위한 관련 제품을 선보였다.
하이닉스(000660)는 이번 행사에 SK텔레콤과 동반 참가해 글로벌 시장에서 양사의 시너지를 활용한 새로운 기회 발굴에 주력한다는 의지를 내비쳤다.
하이닉스는 '하이닉스가 유비쿼터스 세상을 열어갑니다(Hynix enabling a ubiquitous world)'라는 주제로 다양한 '스마트 모바일 솔루션'을 선보였다.
20나노급 4Gb(기가바이트) DDR3과 30나노급 4Gb LPDDR3 D램 등 모바일 시장을 겨냥한 다양한 제품이 출품됐으며, 엔비디아(NVIDIA)와 제휴로 본격 진입한 차량용 인포테인먼트 메모리 반도체도 선보였다.
하이닉스가 개발한 20나노급 4Gb DDR3 D램은 기존 PC와 서버시장은 물론 급속도로 성장하는 태블릿과 울트라북 등의 시장 대응을 위한 제품이다.
기존 30나노급 D램보다 60% 이상 생산성이 높아 원가경쟁력이 개선됐으며 국제 반도체 표준협회 기구(JEDEC)의 규격을 지원하는 한편, 기존 30나노급 제품 대비 약 40% 가량 소비전력 절감이 가능하다.
또 최대 2133Mbps의 속도를 지원해 16개의 정보출입구(I/O)를 통해 HD급 영화 한편을 1초 만에 전송 할 수 있는 속도인 초당 4.3GB의 빠른 데이터 처리도 가능하다.
하이닉스는 올 상반기부터 이 제품 양산에 들어가며, 클라우드 컴퓨팅 환경 대응을 위한 데이터센터 서버용 64GB 초고용량 모듈 등으로 고용량 시장을 선도할 계획이다.
하이엔드 스마트폰, 태블릿 및 울트라북 등에 최적화된 솔루션을 제공하기 위한 모바일 D램인 30나노급 4Gb LPDDR3도 출품됐다.
최근 양산을 시작한 이 제품은 멀티칩 패키지(MCP)와 패키지 온 패키지(PoP)에 들어가는 제품이다. 1.2V 초저전압으로 동작이 가능하며 최대 1600Mbps의 데이터 전송속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)은 최대 초당 6.4GB, 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 12.8GB의 데이터를 처리할 수 있다.
하이닉스는 이 제품을 통해 오는 2015년 약 56%(아이서플라이 기준)의 비중을 차지하며 주력제품으로 성장할 LPDDR3 시장을 선점한다는 계획이다.
김지범 하이닉스 마케팅 본부장 전무는 "하이닉스는 이 같은 다양한 제품군을 통해 급속도로 성장하는 모바일 어플리케이션 시장에서 경쟁력 있는 솔루션을 제공할 계획"이라며 "SK텔레콤과의 시너지로 모바일 시장 확대에 나설 것"이라고 밝혔다.
한편 하이닉스는 올해 전체 투자 4조2000원원 중 절반 이상을 낸드플래시에 투입하고, 모바일 환경에 적합한 대용량·고성능·저전력 특성을 갖춘 D램 제품 포트폴리오를 다양화 한다는 방침이다. 특히 SK텔레콤과의 시너지 효과로 모바일 시장에서의 위상을 더욱 확대해 나갈 계획이다.
<사진=좌측 하단 20나노급 4기가비트(이하 Gb) DDR3 D램, 좌측 상단 30나노급 4Gb LPDDR3 D램,우측 상단 30나노급 4Gb DDR3 컨슈머 D램, 우측 하단 64기가바이트(GB) eMMC 낸드플래시>
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